智(zhi)慧之城 氫見(jian)未(wei)來
基于CCM技(ji)術(shu)的膜電(dian)極組件(jian)（MEA）是(shi)質子(zi)交換(huan)膜燃料(liao)電(dian)池（PEMFC）的核心(xin)組件(jian)，是(shi)電(dian)池運行(xing)過程(cheng)中化(hua)學能轉化(hua)為(wei)電(dian)能的場所，是(shi)燃料(liao)電(dian)池的“心(xin)臟(zang)”。
-技術參數-
| 鉑載量 | 0. 38mg/ cm2 |
| 面積功率密度 | 1. 3W/ cm2 |
| 耐久性 | 10, 000h |
| 運行環境 | - 30~ 100℃ |
| 抗反極能力 | >100min |
| 催化劑載量公差 | < 2% |
| 催化劑載量極差 | < 3% |
| 電壓偏差 | < 10mv |
| 厚度 | 380~ 590μm |
最高(gao)功率密度(du)可達：0.65V@1.55W/cm2；
低鉑(bo)載量：采用自制(zhi)高性能(neng)催(cui)化(hua)劑(ji)，鉑(bo)載量不高于0.35mg/cm2；
高一(yi)致性：品控體系完善，膜(mo)電(dian)極片內/片間(jian)差(cha)異(yi)降至最低；
工況適應(ying)性(xing)(xing)強：可(ke)滿(man)足多種復雜工況條件(jian)下，保(bao)持(chi)高性(xing)(xing)能運行(xing)；
密封(feng)、耐溫性(xing)好：采用PEN/PI三層封(feng)裝(zhuang)技術(shu)，100%氣密性(xing)檢(jian)測。
技(ji)術支持(chi)：